[发明专利]半导体结构及半导体工艺方法有效
| 申请号： | 201910322243.X | 申请日： | 2019-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN110060958B | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 严孟;付洋;朱继锋;胡思平;王家文;邓卫之 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 陈敏 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及半导体工艺方法，半导体工艺方法包括如下步骤：提供晶圆；于晶圆上形成介质层；对介质层进行刻蚀，以于介质层内形成刻蚀通孔；于刻蚀通孔内形成金属互连层；于介质层的上表面及金属互连层的上表面形成保护层；对晶圆进行切边处理。本发明的半导体工艺方法在对晶圆进行切边处理之前执行光刻刻蚀工艺形成刻蚀通孔，并在刻蚀通孔内形成金属互连层，在对晶圆进行切边处理后不再执行光刻工艺，在晶圆切边处理后形成的切角处不会有光刻胶残留，从而避免缺陷的产生，提高产品的良率；同时，在对晶圆进行切边处理之前无需对刻蚀通孔进行回填，从而简化了生成工艺，提高了生产效率，节约了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 工艺 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：提供晶圆；于所述晶圆上形成介质层；对所述介质层进行刻蚀，以于所述介质层内形成刻蚀通孔；于所述刻蚀通孔内形成金属互连层；于所述介质层的上表面及所述金属互连层的上表面形成保护层；及对所述晶圆进行切边处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
