[发明专利]半导体掺杂的扩散深度检测方法有效
| 申请号： | 201910316988.5 | 申请日： | 2019-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN110098134B | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 王亮;张博健;秦金 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 一种半导体掺杂的扩散深度检测方法，方法包括：进行掺杂剂扩散，测得半导体光电探测器件的击穿电压；根据击穿电压计算掺杂剂的扩散深度并根据检测扩散深度对器件进行补扩散，以优化扩散工艺。检测方法无需完成所有芯片的流片工艺，无需划裂片至单个芯片器件，并且无需其他表征检测手段的破坏性制样，并且可以在完成掺杂剂扩散时对晶圆片上点进行大范围快速、无损性的测试与抽测，测试表征准确，高效、无损。基于该方法对扩散工艺进行优化以达到预期目标及后续流片工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 掺杂 扩散 深度 检测 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体掺杂扩散深度的检测方法，其特征在于，包括：S1，进行掺杂剂扩散，测得半导体光电探测器件的击穿电压；S2，根据所述击穿电压计算所述掺杂剂的扩散深度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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