[发明专利]图像传感器及其形成方法在审
| 申请号： | 201910316375.1 | 申请日： | 2019-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN110137191A | 公开（公告）日： | 2019-08-16 |
| 发明（设计）人： | 马富林;杨健;李超 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海领洋专利代理事务所(普通合伙) 31292 | 代理人： | 吴靖靓 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明技术方案公开了一种图像传感器及其形成方法，所述图像传感器的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的第一面和第二面；从所述半导体衬底的第一面进行第一次离子注入，以在所述半导体衬底内形成光电二极管第一掺杂区；在所述半导体衬底的第一面上形成金属层；对所述半导体衬底的第二面进行化学机械研磨，以减薄所述半导体衬底；从减薄后的半导体衬底的第二面进行第二次离子注入，以在所述半导体衬底内形成与所述光电二极管第一掺杂区连续的光电二极管第二掺杂区。本发明技术方案通过双面分段式离子注入的方式可以提高图像传感器像素的满阱容量。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 半导体 光电二极管 图像传感器 掺杂区 第二面 离子 减薄 图像传感器像素 化学机械研磨 分段式 金属层 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的第一面和第二面；从所述半导体衬底的第一面进行第一次离子注入，以在所述半导体衬底内形成光电二极管第一掺杂区；在所述半导体衬底的第一面上形成金属层；对所述半导体衬底的第二面进行化学机械研磨，以减薄所述半导体衬底；从减薄后的半导体衬底的第二面进行第二次离子注入，以在所述半导体衬底内形成与所述光电二极管第一掺杂区连续的光电二极管第二掺杂区。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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