[发明专利]一种钕铁硼磁体表面防护的复合改性方法有效

专利信息
申请号: 201910314786.7 申请日: 2019-04-18
公开(公告)号: CN110098044B 公开(公告)日: 2021-04-27
发明(设计)人: 夏原;许亿;李光 申请(专利权)人: 中国科学院力学研究所
主分类号: H01F41/02 分类号: H01F41/02;C23C14/35;C23C14/48;C23C14/34;C23C14/16;C23C14/02
代理公司: 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 代理人: 胡剑辉
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明实施例公开了本发明提供了一种钕铁硼磁体表面防护的复合改性方法,包括如下步骤:对钕铁硼磁体进行前处理;将磁体置于真空室的工件架上,抽离真空室空气;通过外加电源给工件架提供负偏压,完成对磁体的辉光清洗;通过高功率脉冲磁控溅射电源给Al靶材提供负偏压产生高密度的Al等离子体,同时通过外加电源给工件架提供负高压,并匹配两者脉冲波形,完成对工件的Al等离子体浸没离子注入沉积过程;通过单极脉冲磁控溅射电源给Al靶材提供负偏压,同时通过外加电源给工件架提供负偏压在工件表面沉积Al膜;重复上述磁控溅射和等离子体浸没离子过程,得到位于工件基体表面的复合改性涂层,提高钕铁硼磁铁表面耐腐蚀性能。
搜索关键词: 一种 钕铁硼 磁体 表面 防护 复合 改性 方法
【主权项】:
1.一种钕铁硼磁体表面防护的复合改性方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤100、清洗预处理,清洁钕铁硼磁体表面,并对钕铁硼磁体进行干燥处理;步骤200、表面辉光清洗,将钕铁硼磁体置于气相沉积真空室内,对钕铁硼磁体表面增设负偏压进行离子刻蚀;步骤300、钕铁硼磁体表面改性,利用高功率脉冲磁控溅射电源对Al靶材提供负偏压,同时外加电源给钕铁硼磁体提供负高压,并匹配两者脉冲波形,实现对等离子体能量的有效控制,对钕铁硼磁体进行表面改性;步骤400、镀膜沉积,利用单极脉冲磁控溅射电源给Al靶材提供负偏压,同时通过外加电源给钕铁硼磁体提供负偏压,对钕铁硼磁体的表面镀膜。步骤500、增加沉积膜厚度,重复上述步骤300和步骤400,直至钕铁硼磁体基体表面得到所需厚度的复合改性涂层;步骤600、完成钕铁硼磁体涂层,将真空室剩余的气体释放,并取出钕铁硼磁体。
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