[发明专利]Al掺杂Cu缺位BiCuSeO基热电材料及制备方法

摘要

本发明公开了一种Al掺杂Cu缺位BiCuSeO基热电材料及其制备方法，按照Bi:Cu:Bi2O3:Se:Al:Al2O3＝(1‑x)/3:1‑x:(1‑x)/3:1:x/3:x/3的物质的量之比配料，0.025≤x≤0.125；将各组分混合均匀，得混合粉末；将混合粉末球磨，再用玛瑙研钵研磨，再置于干燥箱内干燥，得干燥粉末；将干燥粉末封入真空石英管，再置于马弗炉内进行高温固相反应，样品随炉冷却后，打破真空石英管取出样品粉末，用玛瑙研钵研磨，再将研磨完成的粉末装入石墨模具，放入热压烧结炉内烧结；烧结完成冷却后脱模，既得Al掺杂Cu缺位BiCuSeO基热电材料。本发明制得的Al掺杂Cu缺位BiCuSeO基热电材料，具有纯度高、热导率低、电导率较高、电传输性能好、功率因子较高和无量纲热电优值ZT高等优点。

主权项

1.一种Al掺杂Cu缺位BiCuSeO基热电材料，其特征在于：所述热电材料的化学式为Bi_1‑xAl_xCu_1‑xSeO；其中Bi:Cu:Bi₂O₃:Se:Al:Al₂O₃物质的量之比＝(1‑x)/3:1‑x:(1‑x)/3:1:x/3:x/3，0.025≤x≤0.125。