[发明专利]一种铝电解电容器用中高压阳极铝箔脉冲沉积纳米锡点的方法有效
| 申请号： | 201910311928.4 | 申请日： | 2019-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN110085429B | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 彭宁;温玉清;尚伟 | 申请（专利权）人： | 桂林理工大学 |
| 主分类号： | H01G9/055 | 分类号： | H01G9/055;H01G9/045;C25D3/32;C25D5/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 541004 广*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明涉及铝电解电容器用中高压阳极铝箔的制造领域。本发明将表面不富集电极电位比铝高的Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Cd、Ga、Ge、In、Sn、Pb元素，纯度为99.99％的中高压阳极铝箔进行预处理，除去表面的氧化膜；然后采用脉冲沉积，在铝箔表面沉积出近似有序分布的纳米锡点。采用本发明的表面脉冲沉积纳米锡点的中高压阳极铝箔，在电解腐蚀发孔时可以显著提高所生成隧道孔的均匀性，降低隧道孔并孔，因而可以提高铝箔的比电容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铝电解电容器 高压 阳极 铝箔 脉冲 沉积 纳米 方法 | ||
【主权项】：
1.中高压阳极铝箔脉冲沉积纳米锡点的方法，其特征在于，将表面不富集电极电位比铝高的Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Cd、Ga、Ge、In、Sn、Pb元素，纯度为99.99％的高纯中高压铝箔在含氢氧化钠和微量酒石酸钾钠的溶液中进行预处理，除去表面的自然氧化膜；然后采用脉冲沉积技术，在铝箔表面沉积出纳米锡点。
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