[发明专利]晶体层叠结构体有效
| 申请号： | 201910308044.3 | 申请日： | 2012-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN110071170B | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木公平 | 申请（专利权）人： | 株式会社田村制作所 |
| 主分类号： | H01L29/26 | 分类号： | H01L29/26;C30B23/02;C30B25/18;C30B25/20;C30B29/16;C30B29/22 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 徐谦;张艳凤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供一种晶体层叠结构体，其包含：外延生长基板，其包含n型β‑Ga |
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| 搜索关键词： | 晶体 层叠 结构 | ||
【主权项】：
1.一种晶体层叠结构体，其特征在于，包含：外延生长基板，其包含n型β‑Ga2O3系单晶，将(010)面、或者相对于上述(010)面以37.5°以内的角度范围倾斜的面作为主面；以及n型外延晶体，其形成于上述外延生长基板的上述主面上，上述n型β‑Ga2O3系单晶包含第1供体浓度，上述n型外延晶体是含镓氧化物，包含比上述第1供体浓度低的第2供体浓度。
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