[发明专利]阵列基板及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201910307251.7 申请日: 2019-04-17
公开(公告)号: CN110137083B 公开(公告)日: 2020-12-08
发明(设计)人: 刘国和 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: H01L21/336 分类号: H01L21/336;H01L29/786
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 本申请提供了一种阵列基板及其制备方法,所述制备方法还包括以下步骤:在玻璃基板上形成栅极金属层;在栅极金属层上形成可分解层,其中可分解层在紫外线照射前和照射后具有不同的热分解温度;在形成有所述可分解层的玻璃基板上形成第一绝缘层,所述第一绝缘层覆盖可分解层;对形成有第一绝缘层的玻璃基板进行紫外线处理;对紫外线处理后的玻璃基板进行加热,其中在加热过程中可分解层产生分解,所述第一绝缘层和栅极金属层之间形成中空腔室;在第一绝缘层上方形成源极和漏极。有益效果:采用阵列基板制备方法,该阵列基板结构,有效减低了栅极绝缘薄膜击穿,有效改善导电金属铜扩散、静电释放等问题,提高电压保持率。
搜索关键词: 阵列 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种阵列基板制备方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:在基板上形成栅极金属层;在所述栅极金属层上形成可分解层,其中所述可分解层在紫外线照射前和照射后具有不同的热分解温度;在形成有所述可分解层的基板上形成第一绝缘层,所述第一绝缘层覆盖所述可分解层;对形成有所述第一绝缘层的基板进行紫外线处理;对紫外线处理后的所述基板进行加热,其中在加热过程中所述可分解层产生分解,所述第一绝缘层和栅极金属层之间形成中空腔室;在所述第一绝缘层上方形成源极和漏极。
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