[发明专利]一种卷式PVD制备叠层渐变钼电极工艺有效
| 申请号： | 201910303488.8 | 申请日： | 2019-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN109825804B | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 邹臻峰;劳宏彬;成志华;陈少逸;吴建邦;刘隆江;谢军 | 申请（专利权）人： | 铜仁梵能移动能源有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/16 |
| 代理公司： | 52116 贵阳易博皓专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 张浩宇;杨晓欣 |
| 地址： | 554300 贵州省铜*** | 国省代码： | 贵州;52 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种卷式PVD制备叠层渐变钼电极工艺，包括如下步骤：步骤一：在压应力临界点的压强下，在衬体上溅射预沉积一层均匀性Mo薄膜；步骤二：在步骤一的基础上，采用压力渐变和Ar流量变化匹配方式，溅射沉积一层非均匀性的厚度渐变的Mo薄膜层；步骤三：在步骤二的基础上，低压溅射沉积一层均匀性Mo薄膜层；步骤四：在步骤三的基础上，溅射沉积一层掺杂Na、Cu、Ka中的一种或几种元素的Mo薄膜层；步骤五：在步骤四的基础上，溅射沉积一层Mo薄膜层。本发明相对单/双层Mo薄膜层，具备更低的电阻率，增大了Mo/CIGS膜层界面的压应力，提高了Mo膜层防脱落和抗损伤能力。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜层 溅射沉积 渐变 均匀性 压应力 钼电极 叠层 卷式 膜层 制备 临界点 压强 抗损伤能力 非均匀性 厚度渐变 匹配方式 电阻率 防脱落 预沉积 衬体 溅射 薄膜 掺杂 | ||
【主权项】：
1.一种卷式PVD制备叠层渐变钼电极工艺，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤一：在压应力临界点的压强下，在衬体上溅射预沉积一层均匀性Mo薄膜；压应力临界点的压强大于等于1Pa，预沉积参数设置为：沉积功率8KW～11KW、压力0.1～10Pa、Ar流量20～120sccm、转速20～50r/min、传输速度15～35inch/min；膜的厚度为10～20nm；/n步骤二：在步骤一的基础上，采用压力渐变和Ar流量变化匹配方式，溅射沉积一层非均匀性的厚度渐变的Mo薄膜层；其沉积参数为：沉积功率8～11KW、压力0.1～10Pa、Ar流量20～120sccm、转速20～50r/min、传输速度15～35inch/min、沉积时间t1=30～120s；在沉积时间内，压力实现负速率匀速递减，Ar流量实现负速率匀速递减，其中初始压力P1=1～10Pa，沉积结束压力P2=0.1～1Pa，压力负速率R1=（P1-P2）/（t1/60）；Ar初始流量Ar1=65～120sccm，沉积结束Ar流量Ar2=20～65sccm，负速率R1（Ar）=（Ar1-Ar2）/（t1/60）；/n步骤三：在步骤二的基础上，低压溅射沉积一层均匀性Mo薄膜层，其沉积参数为：沉积功率7～10W、压力0.1～1.8Pa、Ar流量20～70sccm、转速20～50r/min、传输速度15～35inch/min；膜的厚度为10～30nm；/n步骤四：在步骤三的基础上，溅射沉积一层掺杂Na、Cu、Ka中的一种或几种元素的Mo薄膜层，其沉积参数：沉积功率9～12W、压力0.1～2.0Pa、Ar流量20～120sccm、转速20～50r/min、传输速度15～35inch/min；膜的厚度为20～60nm，掺杂Na、Cu、Ka中的一种或几种元素的质量百分比为1.4%～2.4%；/n步骤五：在步骤四的基础上，溅射沉积一层Mo薄膜层，其沉积参数：沉积功率7～10W，压力0.1～2.0Pa，Ar流量20～70sccm，转速20～50r/min，传输速度15～35inch/min；要求第五层膜厚控制在5～20nm。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于铜仁梵能移动能源有限公司，未经铜仁梵能移动能源有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910303488.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
