[发明专利]一种六面粗化的红外LED芯片及制作方法在审
| 申请号： | 201910299134.0 | 申请日： | 2019-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN109962130A | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 徐洲;王洪占;彭钰仁;张国庆;陈凯轩;蔡端俊 | 申请（专利权）人： | 扬州乾照光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/20;H01L33/38 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 225101*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种六面粗化的红外LED芯片及制作方法，其采用ITO指状电极而不是金属指状电极进行电流扩展，可以有效避免金属指状电极的遮光吸收问题，且同样可获得良好的电流扩展。并且，该ITO指状电极相比较正面的ITO电流扩展层，可以在ITO指状电极以外区域进行表面粗化处理，进而提高光取出效率。在ITO指状电极下方设置肖特基势垒区，可以使电流优先沿ITO指状电极扩展到芯片四周，减少了直接向电极下方注入的电流，进而提高了电流的有效注入。采用网格型N电极结构，可以避免点阵型背电极电流分布不均匀问题，也可以避免整面型背电极的吸光问题。 | ||
| 搜索关键词： | 指状电极 电极 红外LED芯片 电流扩展 金属指状 背电极 粗化 六面 表面粗化处理 光取出效率 肖特基势垒 点阵 电流分布 不均匀 面型 网格 吸光 遮光 制作 芯片 吸收 | ||
【主权项】：
1.一种六面粗化的红外LED芯片，其特征在于，所述红外LED芯片包括：衬底；设置在所述衬底正面的外延层，所述外延层包括在所述第一方向上依次设置的N型限制层、MQW有源层、P型限制层和P型窗口层，所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述外延层；设置在所述P型窗口层背离所述P型限制层一侧上的凹槽，所述凹槽形成肖特基势垒区；设置在所述凹槽上的ITO指状电极，其中，所述ITO指状电极的中心区域大于所述凹槽的开口区域，且所述ITO指状电极的指状部分向四周延伸；设置在所述ITO指状电极上中心区域的P电极，其中，所述P电极的覆盖区域小于所述凹槽的开口区域；设置在所述衬底背面的网格型N电极；其中，所述外延层暴露在外的表面和侧壁以及所述衬底暴露在外的背面和侧壁均为粗化面。
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