[发明专利]一种微电极沉积掩膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种微电极沉积掩膜的制备方法。该方法包括以下步骤：该掩膜采用光刻胶沉积、光学曝光、剥离、湿法刻蚀、聚焦离子束切割等半导体加工工艺制程，制作出可用于沉积微电极外接大电极的掩膜，用于电极材料的可控沉积。该掩膜既可用于从小尺寸样品区域引出微电极，也可以用于制备与微电极直接相连的导线和用于测试用的大电极，为二维层状材料等小尺寸样品的直接电学性能测试提供了便利，具有产业利用价值。

主权项

1.一种微电极沉积用掩膜的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：/n步骤1)，选用双抛硅片，硅片厚度在100-300μm，并将衬底清洗处理干净；/n步骤2)，在硅片双面通过化学气相沉积法沉积50-200nm的氧化硅或氮化硅薄膜；/n步骤3)，在原硅片上通过紫外曝光的方法制作边长为3-20μm的孔，经过湿法腐蚀后孔区域剩余硅片的厚度控制在5-50μm；/n步骤4)，通过紫外曝光的方法在与步骤3)开出孔的四角与相连衬底处开出用于沉积与微电极相连引线和大电极的孔，并腐蚀掉孔内的硅；/n步骤5)，利用硅片切割机，将步骤4)所得衬底切割成正方形，其中步骤3)所开出的孔居中；/n步骤6)，在步骤3)所开的孔四角区域采用FIB切割方式分别切出宽度为50nm-1μm，长度为1-10μm的槽，该槽与步骤4)所开出的引线相连；该槽用于直接与测试材料相连微电极的沉积；/n步骤7)，封装步骤6)所制作的掩膜，保证硅衬底区域不受到封装材料阻挡；/n步骤8)，将待测试表征的样品放置于步骤7)微电极制作掩膜下，利用磁控溅射、电子束蒸发、化学气相沉积薄膜制备设备沉积金属电极。/n