[发明专利]全自驱动石墨烯晶体管、逻辑器件及传感器阵列有效
| 申请号： | 201910297196.8 | 申请日： | 2019-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN111584612B | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 孙其君;孟艳芳 | 申请（专利权）人： | 北京纳米能源与系统研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L27/02;G01L1/16 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 101400 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种全自驱动石墨烯晶体管、逻辑器件及传感器阵列，全自驱动石墨烯晶体管，包括：基底层；电极层，包含源极、漏极和栅极，位于基底层之上；其中，该源极和漏极之间的源漏电压由聚吡咯发电机提供，该聚吡咯发电机在压力作用下产生大小可控的直流电；石墨烯作为沟道层，连接于源极和漏极之间，栅极电压由外界物体与栅极的接触‑分离感应产生的电动势提供；所述聚吡咯发电机在压力作用下产生大小可控的源漏电压调控石墨烯沟道层中产生的载流子浓度，同时沟道层在栅极电压的调控作用下进行全自驱动电学输出。实现了全自驱动的效果，能耗几乎为零，同时具有较高的集成度和高灵敏度，可同时实现手势与压力的双重检测。 | ||
| 搜索关键词： | 驱动 石墨 晶体管 逻辑 器件 传感器 阵列 | ||
【主权项】：
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