[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；在所述基底表面形成复合结构，所述复合结构包括若干层复合层，且所述若干层复合层沿基底表面法线方向重叠，每一层复合层包括第一材料层以及位于第一材料层表面的第二材料层，且第一材料层的材料和第二材料层的材料不同；形成贯穿所述复合结构的第一开口，所述第一开口暴露出基底表面；刻蚀第一开口四周的第二材料层，分别在各个所述第二材料层内形成第一凹槽；在所述第一开口和第一凹槽内形成第一互联结构。所述方法工艺步骤简单，节省了制备成本。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底表面形成复合结构，所述复合结构包括若干层复合层，若干层所述复合层沿基底表面法线方向重叠，每一层复合层包括第一材料层以及位于第一材料层表面的第二材料层，且第一材料层的材料和第二材料层的材料不同；形成贯穿所述复合结构的第一开口，所述第一开口暴露出基底表面；对所述第一开口暴露出的一层或多层第二材料层侧壁进行刻蚀，在所述复合结构内形成一个或多个第一凹槽，所述第一凹槽相对于第一开口的侧壁表面凹陷，且若干第一凹槽与所述第一开口连通；在所述第一开口和第一凹槽内形成第一互联结构。