[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201910286589.9 | 申请日： | 2019-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN110034064A | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 管斌;张东亮;陈世杰;黄晓橹 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其形成方法包括提供半导体衬底，所述半导体衬底包括器件区和围绕所述器件区的密封区，所述半导体衬底具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；在所述密封区的所述半导体衬底第一表面形成密封圈，在所述器件区的所述半导体衬底第一表面形成半导体器件；刻蚀所述半导体衬底第二表面，在所述器件区形成贯穿所述半导体衬底厚度的器件区通孔，同时在所述密封区形成贯穿所述半导体衬底厚度的环形槽；向所述器件区通孔内和所述环形槽内填充满导电层。形成所述环形槽并在所述环形槽内填满导电层，可以避免外界对芯片内部器件区的应力损伤，防止外部的潮气或腐蚀气体的侵蚀，提升对芯片内部器件的保护能力。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 半导体 器件区 第一表面 环形槽 密封区 半导体结构 第二表面 内部器件 导电层 通孔 密封圈 芯片 半导体器件 保护能力 腐蚀气体 应力损伤 贯穿 潮气 刻蚀 填满 侵蚀 外部 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括器件区和围绕所述器件区的密封区，所述半导体衬底具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；在所述密封区的所述半导体衬底第一表面形成密封圈，在所述器件区的所述半导体衬底第一表面形成半导体器件；刻蚀所述半导体衬底第二表面，在所述器件区形成贯穿所述半导体衬底厚度的器件区通孔，同时在所述密封区形成贯穿所述半导体衬底厚度的环形槽；向所述器件区通孔内和所述环形槽内填充满导电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
