[发明专利]一种基于非极性GaN自支撑衬底的高带宽LED

摘要

本发明公开了一种基于非极性GaN自支撑衬底的高带宽LED，所述LED包括衬底、N型掺杂的GaN层、In_xGa_（1‑x）N/GaN多量子阱有源区发光层、P型Al_yGa_（1‑y）N电子阻挡层和P型GaN帽层，并在衬底的表面从下到上依次排布。本发明所述非极性GaN自支撑衬底能降低衬底和N型GaN之间的缺陷密度，减小了LED的极化效应，使有源区的电子和空穴受到极化效应的影响更小，更容易发生辐射复合即减小了载流子复合寿命，改善了LED的性能，从根本上消除LED有源区内电场对载流子寿命的影响，提高LED带宽。

主权项

1.一种基于非极性GaN自支撑衬底的高带宽LED，其特征在于包括衬底（1）、N型掺杂的GaN 层（2）、In_xGa_（1‑x）N/GaN多量子阱有源区发光层（3）其中0<x<1、P型Al_yGa_（1‑y）N电子阻挡层（4）其中0<y<1、P型GaN帽层（5）；所述N型掺杂的GaN 层（2）、In_xGa_（1‑x）N/GaN多量子阱有源区发光层（3）、P型Al_yGa_（1‑y）N电子阻挡层（4）和P型GaN帽层（5）在衬底（1）的上表面从下到上依次排布。