[发明专利]一种电阻法碳化硅长晶方法在审
| 申请号： | 201910275964.X | 申请日： | 2019-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN109881252A | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 周元辉;刘春艳;张明福;胡春霞;刘洪亮;刘洪涛;范子龙;高雅蕾;姜树炎 | 申请（专利权）人： | 苏州优晶光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京兴智翔达知识产权代理有限公司 11768 | 代理人： | 蒋常雪 |
| 地址： | 215613 江苏省苏州市张*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电阻法碳化硅长晶方法，包括以下步骤：容器检测；将碳化硅原料放入坩埚发生器中，并进行密封，检测密封性；抽真空：开启指定的真空泵进行逐级抽真空，并检测真空压强，达到指定范围后，开启高阀。本发明所述的一种电阻法碳化硅长晶方法，通过满足合适稳定温度，合适稳定的压力，合适稳定掺杂气体,为碳化硅晶体结晶与生长的理想环境，从而生产出尺寸更大、厚度更厚、生长周期更短、高效率与高品质的碳化硅晶体，通过电阻加热的方式，将原有的加热方式改成螺旋石墨电阻片，由于螺旋石墨电阻片为螺旋状，在受到自身的磁场影响时径向涡流无法积累，因此不易变形，径向温度相对稳定，便于控制晶体所需的温度。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻法 碳化硅 碳化硅晶体 石墨电阻 抽真空 碳化硅原料 不易变形 掺杂气体 磁场影响 电阻加热 加热方式 径向涡流 控制晶体 理想环境 容器检测 生长周期 真空压强 发生器 高品质 高效率 螺旋状 密封性 原有的 真空泵 检测 放入 高阀 坩埚 密封 生长 积累 生产 | ||
【主权项】：
1.一种电阻法碳化硅长晶方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）、容器检测；将碳化硅原料放入坩埚发生器中，并进行密封，检测密封性；（2）、抽真空：开启指定的真空泵进行逐级抽真空，并检测真空压强，达到指定范围后，开启高阀，抽真空达到设定真空度；（3）、加热：通气后，开启石墨电阻加热器进行缓慢加热，加热至2000‑2400℃，后恒温加热2.0‑2.3h；（4）、通气：达到预定温度后，对惰性气体进行加压，并通过掺杂气体路径送入到腔体中；（5）、结晶：恒温加热后，处在指定位置的原料开始升华，并在指定的籽晶处结晶，在预设长晶程序后结束，缓慢升温；（6）、取晶：缓慢降温后，提高腔体内部气压，打开密封盖，取出晶体。
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