[发明专利]基于氧化镓薄膜的阻变存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 201910271281.7 | 申请日： | 2019-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN111785830A | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 弭伟;杨正春;吴健文;陈煜婷;李沛君;赵金石;张楷亮 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214 | 代理人： | 王秀奎 |
| 地址： | 300384 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： |
本发明公开基于氧化镓薄膜的阻变存储器及其制备方法，由下电极、阻变层和上电极构成，阻变层为Ga |
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| 搜索关键词： | 基于 氧化 薄膜 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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