[发明专利]一种高精度的连续时间双向电流采样电路及实现方法有效

专利信息
申请号: 201910269689.0 申请日: 2019-04-04
公开(公告)号: CN109900950B 公开(公告)日: 2021-07-13
发明(设计)人: 魏郅 申请(专利权)人: 上海南芯半导体科技有限公司
主分类号: G01R19/00 分类号: G01R19/00;G01R31/385
代理公司: 成都众恒智合专利代理事务所(普通合伙) 51239 代理人: 钟显毅
地址: 200120 上海市浦东新区中*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种高精度的连续时间双向电流采样电路,包括设置在芯片外的电池充放电电路上的采样电阻Rs,芯片内的电阻Ra1、电阻Ra2、电阻Rb和预放大器,设置在芯片上的两个采样端口VBUS和VBAT和一个电压输出端口VOUT,还包括具有反馈信号输入端口的主放大器,MOS管M1,MOS管M2,以及具有两个输入端口、一个输出端口和一个反馈信号输出端口的共模反馈电路。本发明达到了电路结构简单,检测结果精度高的效果。
搜索关键词: 一种 高精度 连续 时间 双向 电流 采样 电路 实现 方法
【主权项】:
1.一种高精度的连续时间双向电流采样电路,包括设置在芯片外的电池充放电电路上的采样电阻Rs,芯片内的电阻Ra1、电阻Ra2和电阻Rb,设置在芯片上的两个采样端口VBUS和VBAT和一个电压输出端口VOUT,其特征在于,还包括预放大器,具有反馈信号输入端口的主放大器,MOS管M1,MOS管M2,以及具有两个输入端口、一个输出端口和一个反馈信号输出端口的共模反馈电路;所述电阻Ra1的一端与芯片的采样端口VBUS连接、另一端分别与预放大器的正相输入端VINP和MOS管M2的漏极连接,所述电阻Ra2的一端与芯片的采样端口VBAT连接、另一端分别与预放大器的反相输入端VINM和MOS管M1的漏极连接,所述主放大器的正相输入端VMID_P与预放大器的反相输出端连接,所述主放大器的反相输入端VMID_M与预放大器的正相输出端连接,所述MOS管M1的栅极与主放大器的正相输出端VGATE_N连接,所述MOS管M2的栅极与主放大器的反相输出端VGATE_P连接,所述共模反馈电路的两个输入端口与主放大器的两个输出端连接、反馈信号输出端口与主放大器的反馈信号输入端口连接、输出端口与芯片上的电压输出端口VOUT连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海南芯半导体科技有限公司,未经上海南芯半导体科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910269689.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top