[发明专利]Au/SnS2二氧化氮气体传感器及制备工艺和应用在审
| 申请号： | 201910268505.9 | 申请日： | 2019-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN110095506A | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 林仕伟;顾丁;李晓干;刘炜;陈汉德;符坚;林慧媛;王玲转 | 申请（专利权）人： | 海南聚能科技创新研究院有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 571100 海南省海*** | 国省代码： | 海南;46 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种Au/SnS2二氧化氮气体传感器，包括气敏材料和加热基板，气敏材料旋涂于加热基板表面；气敏材料包括金单质纳米颗粒和SnS2纳米片形成的纳米复合材料。制备工艺包括：步骤一：将酸性缓冲液与无水乙醇混合，将SnCl2·2H2O加入混合液中搅拌溶解；再加入Na2S2O3·5H2O和硫粉，搅拌后倒入反应釜中反应，得黄色沉淀物；将沉淀物清洗、干燥，得SnS2；步骤二：将SnS2分散，加入氯金酸和L‑赖氨酸充分搅拌，再加入柠檬酸钠进行金单质还原；将所得产物清洗、干燥，得Au/SnS2；步骤三：将Au/SnS2加入去离子水，充分研磨后旋涂于加热基板表面，干燥，得Au/SnS2二氧化氮气体传感器。本发明制备工艺简单，所得Au/SnS2具有在制备气敏元件中的应用价值，传感器对二氧化氮响应灵敏、快速。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 二氧化氮气体 加热基板 气敏材料 制备工艺 旋涂 发明制备工艺 纳米复合材料 沉淀物清洗 黄色沉淀物 酸性缓冲液 单质纳米 二氧化氮 搅拌溶解 柠檬酸钠 气敏元件 去离子水 无水乙醇 响应灵敏 研磨 反应釜 混合液 赖氨酸 氯金酸 纳米片 单质 硫粉 制备 还原 应用 清洗 | ||
【主权项】：
1.Au/SnS2二氧化氮气体传感器，包括气敏材料和加热基板，其特征在于，所述气敏材料旋涂于所述加热基板的表面，涂覆厚度为50μm‑100μm；所述气敏材料包括金单质纳米颗粒和SnS2纳米片形成的纳米复合材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海南聚能科技创新研究院有限公司，未经海南聚能科技创新研究院有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910268505.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
