[发明专利]晶片的加工方法

摘要

提供晶片的加工方法，能够抑制对晶片实施等离子加工时产生放电，从而能够防止器件的破损。一种晶片的加工方法，该晶片在间隔道上形成有含有金属层的图案，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：沿着形成有图案的间隔道照射激光束，将图案去除并且形成深度超过晶片的完工厚度的激光加工槽；将保护部件粘贴于形成有激光加工槽的晶片的正面侧；对晶片的背面侧进行磨削而将晶片薄化至完工厚度并使激光加工槽在晶片的背面露出，从而将晶片分割成多个器件芯片；将通过晶片的磨削而形成于晶片的背面侧的破碎层去除；以及通过使用了惰性气体的等离子加工在破碎层已被去除的晶片的背面侧形成应变层。

主权项

1.一种晶片的加工方法，该晶片在由多条间隔道划分的正面侧的区域中分别形成有器件，在该间隔道上形成有含有金属层的图案，该晶片的加工方法的特征在于，具有如下的步骤：激光加工步骤，沿着形成有该图案的该间隔道照射对于该晶片具有吸收性的波长的激光束，将该图案去除并且形成深度超过该晶片的完工厚度的激光加工槽；保护部件粘贴步骤，将保护部件粘贴于形成有该激光加工槽的该晶片的正面侧；磨削步骤，利用卡盘工作台隔着该保护部件对该晶片进行保持，对该晶片的背面侧进行磨削而将该晶片薄化至该完工厚度，使该激光加工槽在该晶片的背面露出而将该晶片分割成多个器件芯片；破碎层去除步骤，将通过该晶片的磨削而形成于该晶片的背面侧的破碎层去除；以及应变层形成步骤，通过使用了惰性气体的等离子加工在该破碎层已被去除的该晶片的背面侧形成应变层。