[发明专利]一种功率循环实验中测量与控制功率VDMOS器件结温的方法

摘要

本发明公开了一种功率循环实验中测量与控制功率VDMOS器件结温的方法，该方法主要通过功率循环实验平台进行间歇性功率施加的方式来加速器件老化过程，以达到模拟功率VDMOS器件实际工况的目的。通过采集器件工作在饱和区的温度敏感电参数来计算并提取功率施加期间及功率关断期间的芯片温度波动，由反馈电路控制器件结温处于限定范围内。该方法简单易行，实验成本较低，且不会破坏功率VDMOS器件的封装，通过计算机可实现完全程控，可自行设定功率循环实验过程中器件工作的结温范围，进行长时间、多周期的功率循环实验，可准确测量与控制功率VDMOS器件的结温。

主权项

1.一种功率循环实验中测量与控制功率VDMOS器件结温的方法，其特征在于：首先，将器件置于温箱内，调节温度至稳态，保持一段时间，此时认为器件的结温与温箱内部温度相同，然后给器件施加栅源电压V_GS，使其处于导通状态，为避免器件长时间工作而导致的自升温，通过功率器件分析仪施加短脉冲漏源电压V_P，测量器件导通时的短脉冲漏源电流I_P；接下来关闭栅压，使器件处于关断状态，施加较小的恒定导通电流I_F，测量器件内部体二极管导通电压V_F；然后调节温箱改变温度至稳定，保持栅源电压V_GS、脉冲电压V_P、导通电流I_F不变，在不同温度下测量器件导通时的脉冲电流I_P与内部体二极管的导通电压V_F；根据算法拟合出实际工作中饱和区漏源电流I_DS与结温的关系、体二极管导通电压V_F与结温的关系，并分别作为功率VDMOS器件导通和关断时的校温曲线库；在器件正常工作时，通过施加恒定漏源电压V_DS与体二极管的导通电流I_F，利用功率循环实验平台采集器件导通时的漏源电流I_DS与关断时体二极管的导通电压V_F，并与校温曲线库相对应；通过计算机进行数据处理并提取结温，通过功率循环实验平台给器件下达导通或关断的指令，使器件在预先设定的结温范围内正常工作，从而实现对功率VDMOS器件结温的实时测量与控制。