[发明专利]方形螺旋硅漂移探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种方形螺旋硅漂移探测器及其制备方法，包括正面设有圆形的n+收集阳极、方形螺旋阴极和正面保护环的基片，方形螺旋阴极环绕n+收集阳极分布，且方形螺旋阴极的宽度由内向外逐渐变宽，正面保护环环绕螺旋阴极分布；基片反面设有反面电极、入射窗口和反面保护环，入射窗口和反面电极紧密相连且均位于反面保护环内，反面电极极性为阴极。先依据方形螺旋硅漂移探测器的结构设计制备掩膜板，依次经过匀胶、烘干、对准相应掩膜板、曝光、显影、检查、后烘，利用光刻胶覆盖无需刻蚀部位，并进行刻蚀，然后注入相应离子，制得N⁺收集阳极、方形螺旋阴极、反面保护环、入射窗口、正面保护环和反面电极，最后对电极进行镀铝。

主权项

1.方形螺旋硅漂移探测器，其特征在于，包括基片(9)，基片(9)正面设有圆形的n+收集阳极(5)、方形螺旋阴极(6)和形状为圆角矩形的正面保护环(10)，方形螺旋阴极(6)环绕n+收集阳极(5)分布，且方形螺旋阴极(6)的宽度由内向外逐渐变宽，正面保护环(10)环绕螺旋阴极(6)分布；基片(9)反面设有反面电极、入射窗口(8)和形状为圆角矩形的反面保护环(7)，入射窗口(8)和反面电极紧密相连且均位于反面保护环(7)内，且反面电极极性为阴极。