[发明专利]三维堆栈式CIS及其键合方法在审
| 申请号： | 201910252048.4 | 申请日： | 2019-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN109979954A | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 马星;晁阳;黄晓橹;张祥平;伍建华 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 武振华;吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种三维堆栈式CIS及其键合方法，所述方法包括：提供第一半导体衬底以及第二半导体衬底，所述第一半导体衬底的正面形成有第一衬垫，所述第二半导体衬底的正面形成有第二衬垫，所述第二衬垫与所述第一衬垫的位置一一对应；在所述第一衬垫的表面涂覆第一助焊剂层；将金属球粘附于所述第一助焊剂层的表面；在所述第二衬垫的表面涂覆第二助焊剂层；将所述第一半导体衬底的正面以及所述第二半导体衬底的正面对准并进行键合；对所述第一半导体衬底以及所述第二半导体衬底进行加热至所述金属球的至少一部分被熔化。本发明方案可以有效地降低空洞对键合效果的影响，提高键合品质。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 半导体 键合 助焊剂层 表面涂覆 堆栈式 金属球 三维 熔化 键合效果 有效地 粘附 加热 对准 空洞 | ||
【主权项】：
1.一种三维堆栈式CIS的键合方法，其特征在于，包括：提供第一半导体衬底以及第二半导体衬底，所述第一半导体衬底的正面形成有第一衬垫，所述第二半导体衬底的正面形成有第二衬垫，所述第二衬垫与所述第一衬垫的位置一一对应；在所述第一衬垫的表面涂覆第一助焊剂层；将金属球粘附于所述第一助焊剂层的表面；在所述第二衬垫的表面涂覆第二助焊剂层；将所述第一半导体衬底的正面以及所述第二半导体衬底的正面对准并进行键合；对所述第一半导体衬底以及所述第二半导体衬底进行加热至所述金属球的至少一部分被熔化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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