[发明专利]止挡装置和划刻设备以及止挡装置的工作方法在审
申请号: | 201910251636.6 | 申请日: | 2019-03-29 |
公开(公告)号: | CN111755561A | 公开(公告)日: | 2020-10-09 |
发明(设计)人: | 张玉功 | 申请(专利权)人: | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/304;B28D7/04 |
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地址: | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种止挡装置和划刻设备以及止挡装置的工作方法。其中止挡装置包括驱动机构和多个止挡部,驱动机构与多个止挡部驱动连接,用于驱动止挡部运动;驱动机构用于驱动止挡部运动至用于止挡工件的止挡位置以及驱动止挡部离开止挡位置,任一止挡部由驱动机构驱动至止挡位置,其他止挡部由驱动机构驱离止挡位置。本发明的止挡装置包括多个用于止挡工件的止挡部,由于当其中之一进入止挡位置时,其他的止挡部无法进入止挡位置,即每次只能由一个止挡部止挡工件,这样多个止挡部在驱动机构的驱动下,轮流止挡工件,止挡部不需要连续工作,从而使得疲劳损伤情况得到改善,降低了止挡部磨损的概率,提高了生产效率和良品率。 | ||
搜索关键词: | 装置 设备 以及 工作 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的