[发明专利]一种GaN/Si微米线阵列光探测器及其制备方法在审
| 申请号： | 201910246716.2 | 申请日： | 2019-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN110010718A | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 宋伟东;王林媛;罗幸君;孙一鸣;李述体;陈浩;陈钊;郭月;高妍;王波;曾庆光;张业龙;张弛 | 申请（专利权）人： | 五邑大学 |
| 主分类号： | H01L31/109 | 分类号： | H01L31/109;H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 谭晓欣 |
| 地址： | 529000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN/Si微米线阵列光探测器，包括由下至上依次排列的金属电极，Si层，GaN微米线阵列层和ITO导电层。所述Si层为p型导电Si层。另外本发明还公开了所述GaN/Si微米线阵列光探测器的制备方法，包括Si层的处理、GaN微米线阵列层的制备、ITO导电层的制备和金属电极的制备步骤。本发明所述GaN/Si微米线阵列光探测器宽光谱响应，所制备的GaN/Si微米线阵列光探测器对从紫外到近红外的光具有良好的响应特性、响应速度快、灵敏度高、工作稳定性好，且能进行自供电工作。另外，所述的制备方法过程简单，成本低，适合工业量产。 | ||
| 搜索关键词： | 微米线 制备 光探测器 金属电极 阵列层 制备方法过程 工作稳定性 响应特性 依次排列 工业量 宽光谱 灵敏度 自供电 响应 | ||
【主权项】：
1.一种GaN/Si微米线阵列光探测器，其特征在于，包括由下至上依次排列的金属电极，Si层，GaN微米线阵列层和ITO导电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
