[发明专利]一种低触发高维持可控硅静电防护器件

摘要

本发明公开了一种低触发高维持可控硅静电防护器件，包括P型衬底；P型衬底上设有N型深阱；N型深阱中从左至右设有P阱和N阱；P阱中从左至右设有第一P+注入区、第一N+注入区；P阱和N阱之间设有第二N+注入区；N阱中从左至右设有第三N+注入区和第二P+注入区；第二N+注入区与第三N+注入区之间用导线串联一个电阻和N型MOS管，N型MOS管的衬底接地，N型MOS管的栅接ESD侦测电路。本发明通过外接电路，为寄生PNP三极管的基区提供触发电流，使得寄生PNP更易开启，则SCR泄放路径也更易开启；另外，re由侦测电路控制，不会导致器件正常工作时被误触发。

主权项

1.一种低触发高维持可控硅静电防护器件，其特征在于：包括P型衬底；所述P型衬底上设有N型深阱；N型深阱中从左至右设有P阱和N阱；P阱中从左至右设有第一P+注入区、第一N+注入区，第一P+注入区左侧设有第一场氧隔离区；P阱和N阱之间设有第二N+注入区，第二N+注入区左侧设有第二场氧隔离区，第二N+注入区右侧设有第三场氧隔离区；N阱中从左至右设有第三N+注入区和第二P+注入区，第二P+注入区右侧设有第四场氧隔离区；P阱之上，第一N+注入区、第二N+注入区之间设有多晶硅栅，多晶硅栅与第一P+注入区、第一N+注入区相连作为阴极；第三N+注入区和第二P+注入区用导线相连作为阳极；第二N+注入区与第三N+注入区之间用导线串联一个电阻和N型MOS管，N型MOS管的衬底接地，N型MOS管的栅接ESD侦测电路。