[发明专利]非晶氧化镓刻蚀方法及在三端器件和阵列成像系统的应用在审
| 申请号： | 201910245457.1 | 申请日： | 2019-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN111755576A | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 韩祖银;梅增霞;梁会力;杜小龙 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/20 | 分类号： | H01L31/20;H01L31/113 |
| 代理公司： | 北京慧诚智道知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11539 | 代理人： | 李楠 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 发明公开了一种非晶氧化镓刻蚀方法及在三端器件和阵列成像系统的应用，所述刻蚀方法包括：用浓度为0.04％到25％的四甲基氢氧化铵TMAH的溶液对非晶氧化镓进行选择性湿法刻蚀；所述选择性湿法刻蚀的温度在20摄氏度到100摄氏度之间。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 刻蚀 方法 器件 阵列 成像 系统 应用 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
