[发明专利]一种硅片铸锭方法、硅锭及多晶硅片在审
| 申请号： | 201910243934.0 | 申请日： | 2019-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN109750354A | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 闫灯周;刘俊辉;郭志球 | 申请（专利权）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B28/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 314416 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种硅片铸锭的方法，通过熔化硅料并进行长晶，得到硅锭前置物；对所述硅锭前置物进行退火，退火的温度范围为1340摄氏度至1370摄氏度，包括端点值；退火的时间范围为50分钟至90分钟，包括端点值；对退火后的硅锭前置物进行冷却，得到所述硅锭。本申请中降低了退火阶段的温度，使得所述硅锭的内外温差降低，使硅锭内部的应力得以缓慢释放，从而降低硅锭内部的缺陷密度，同时由于降低了退火温度，增加了B‑O复合对的分解，降低了硅锭中的氧含量，提高最终得到的硅锭的质量。本申请还在不影响硅锭成晶率及碎片率的前提下，缩短了退火时间，减少能源消耗，降低成本，提升了单位时间的产能。本申请还同时提供了一种具有上述有益效果的硅锭。 | ||
| 搜索关键词： | 硅锭 退火 前置 申请 硅片 铸锭 熔化 多晶硅片 缓慢释放 内外温差 能源消耗 退火阶段 碎片率 产能 硅料 冷却 分解 复合 | ||
【主权项】：
1.一种硅片铸锭的方法，其特征在于，包括：熔化硅料并进行长晶，得到硅锭前置物；对所述硅锭前置物进行退火，退火的温度范围为1340摄氏度至1370摄氏度，包括端点值；退火的时间范围为50分钟至90分钟，包括端点值；对退火后的硅锭前置物进行冷却，得到所述硅锭。
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