[发明专利]3D NAND存储器抑制顶层存储层编程串扰的方法有效
| 申请号： | 201910231669.4 | 申请日： | 2019-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN109935597B | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 李达;许锋;魏文喆;贾信磊;刘红涛;王明 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11578;G11C16/34 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 董琳;高德志 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种3D NAND存储器抑制顶层存储层编程串扰的方法，包括：所述3D NAND存储器包括：若干层堆叠的存储层和位于存储层上若干层堆叠的伪存储层，所述若干层堆叠的存储层中最上面的一层存储层为顶层存储层，与顶层存储层相邻的一层伪存储层为底层伪存储层，每一层存储层中具有若干存储单元，每一层伪存储层中具有与若干存储单元排布相同的若干伪存储单元，竖直方向的若干存储单元与若干伪存储层构成一个存储串；在对所述顶层存储层中某一个存储单元进行编程时，将所述顶层存储层与所述底层伪存储层连接在一起同时施加相同的编程电压进行操作。本发明的方法防止顶层存储层的编程串扰。 | ||
| 搜索关键词： | nand 存储器 抑制 顶层 存储 编程 方法 | ||
【主权项】：
1.一种3D NAND存储器抑制顶层存储层编程串扰的方法，其特征在于，包括：提供述3D NAND存储器，所述3D NAND存储器包括：若干层堆叠的存储层和位于存储层上若干层堆叠的伪存储层，所述若干层堆叠的存储层中最上面的一层存储层为顶层存储层，与顶层存储层相邻的一层伪存储层为底层伪存储层，每一层存储层中具有若干存储单元，每一层伪存储层中具有与若干存储单元排布相同的若干伪存储单元，竖直方向的若干存储单元与若干伪存储层构成一个存储串；在对所述顶层存储层中某一个存储单元进行编程时，将所述顶层存储层与所述底层伪存储层连接在一起同时施加相同的编程电压进行操作。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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