[发明专利]一种金刚石基氮化镓高电子迁移率晶体管异质集成方法

摘要

一种金刚石基氮化镓高电子迁移率晶体管异质集成方法，在临时载片的表面涂覆粘合剂；将氮化镓高电子迁移率晶体管的正面粘结到临时载片上，烘烤，得到以临时载片为支撑的原始器件；将以临时载片为支撑的原始器件的衬底进行减薄，对减薄后器件的背面和金刚石衬底键合面进行反溅射处理去除表面污物；在减薄后器件的背面和金刚石衬底键合面溅射中间层材料W/Au；使溅射有中间层材料的减薄器件背面与金刚石衬底键合面结合，实现衬底转移；再脱离临时载片即可。本发明通过中间层材料W/Au实现了GaN HEMT和金刚石的异质集成，实现了常温、大气压条件下金刚石基GaN HEMT的高效低成本制备，提高了其散热性能。

主权项

1.一种金刚石基氮化镓高电子迁移率晶体管异质集成方法，其特征在于，包括以下步骤：1)在临时载片的表面涂覆粘合剂；2)将氮化镓高电子迁移率晶体管的正面粘结到临时载片上，并烘烤，得到以临时载片为支撑的原始器件；3)将以临时载片为支撑的原始器件的衬底进行减薄，得到以临时载片为支撑的减薄后器件；4)对减薄后器件的背面和金刚石衬底键合面进行反溅射处理，去除表面污物；5)在减薄后器件的背面和金刚石衬底键合面溅射中间层材料W/Au；W层作为底层薄膜，Au作为顶层薄膜；6)通过热压键合使溅射有中间层材料的减薄器件背面与金刚石衬底键合面接触，通过中间层材料的特性使器件与金刚石衬底结合，实现衬底转移；7)使用去除剂浸泡键合后的器件，使键合后的器件与临时载片分离，得到金刚石基氮化镓高电子迁移率晶体管。