[发明专利]一种碱抛光高效PERC电池及其制备工艺

摘要

本发明公开了一种碱抛光高效PERC电池的制备工艺，包括以下步骤：步骤S01、制绒；步骤S02、扩散；步骤S03、SE工艺；步骤S04、热氧；步骤S05、去PSG；步骤S06、碱抛光；步骤S07、退火；步骤S08、背钝化；步骤S09、背膜；步骤S10、正膜；步骤S11、激光开槽；步骤S12、印刷烧结：经过丝网印刷完成背面和正面印刷，然后进行烧结工艺；步骤S13、电注入：通过光衰炉或者电注入炉；步骤S14、测试分检：最后对电池片进行电池测试分档。本发明还公开了一种碱抛光高效PERC电池。本发明中增加SE后高温热氧工艺流程，在正面SE区域高温生长一层二氧化硅保护层，SE区域的金字塔绒面得到有效的保护，此工艺流程可保证SE碱抛PERC电池的稳定连续生产。

主权项

1.一种碱抛光高效PERC电池的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01、制绒：单晶硅片经过表面制绒获得良好的绒面结构；步骤S02、扩散：通入三氯氧磷和硅片进行反应，实现扩散制结；步骤S03、SE工艺：选择性发射极在轻掺杂的硅衬底上，通过微米尺寸的激光束有选择性地进行杂质原子的重掺杂；步骤S04、热氧：在SE工艺后增加高温热氧工艺，在硅片表面生产沉积一层初级二氧化硅保护层(4)；步骤S05、去PSG：经过去PSG将边缘PN结刻蚀去除；步骤S06、碱抛光：采用碱性溶液对硅片进行碱抛光；步骤S07、退火：对碱抛光后的硅片进行退火，在硅片表面生产沉积一层次级二氧化硅层(6)；步骤S08、背钝化：在硅片背部通过ALD或PECVD方式沉积一层三氧化二铝钝化膜层(5)；步骤S09、背膜：在硅片的背面生长沉积一层氮化硅膜(7)；步骤S10、正膜：在硅片的正面生长沉积一层氮化硅膜(7)；步骤S11、激光开槽：对镀膜后的硅片背面进行激光开槽；步骤S12、印刷烧结：经过丝网印刷完成背面和正面印刷，然后进行烧结工艺；步骤S13、电注入：通过光衰炉或者电注入炉；步骤S14、测试分检：最后对电池片进行电池测试分档。