[发明专利]一种压接型功率半导体器件内部压力分布测量系统有效
| 申请号： | 201910220725.4 | 申请日： | 2019-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN109827693B | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 张一鸣;邓二平;傅实;任斌;赵志斌;崔翔 | 申请（专利权）人： | 华北电力大学 |
| 主分类号： | G01L5/00 | 分类号： | G01L5/00 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 程华 |
| 地址： | 100000 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种压接型功率半导体器件内部压力分布测量系统，包括集电极、发射极和子模组；集电极、子模组和发射极依次接触连接；子模组设置在集电极和发射极之间；其中，子模组包括半导体芯片、热流及电流传导结构和压力传感器，集电极、半导体芯片、热流及电流传导结构及发射极依次接触连接；压力传感器分别与热流及电流传导结构内壁底面和端面接触连接。本发明提供的压接型功率半导体器件内部压力分布测量系统能够降低对压力传感器的要求，实现对任意工况下芯片压力分布情况准确测量，突破现有测量方法在正常工况条件下测量的局限性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 压接型 功率 半导体器件 内部 压力 分布 测量 系统 | ||
【主权项】：
1.一种压接型功率半导体器件内部压力分布测量系统，其特征在于，所述压接型功率半导体器件内部压力分布测量系统包括集电极、发射极和子模组；所述集电极、所述子模组和所述发射极依次接触连接；所述子模组设置在所述集电极和所述发射极之间；其中，所述子模组包括半导体芯片、热流及电流传导结构和压力传感器，所述集电极、所述半导体芯片、所述热流及电流传导结构和所述发射极依次接触连接；所述压力传感器分别与所述热流及电流传导结构内壁底面和内壁端面接触连接。
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