[发明专利]基板处理装置以及利用该装置的基板处理方法有效
| 申请号： | 201910213437.6 | 申请日： | 2019-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN110299306B | 公开（公告）日： | 2023-04-11 |
| 发明（设计）人： | 南元植;延康钦;宋大石;朴现陈;李昊硕 | 申请（专利权）人： | NPS股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/673 |
| 代理公司： | 北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11384 | 代理人： | 郑青松 |
| 地址： | 韩国京畿道华城市*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及基板处理装置以及利用该装置的基板处理方法，包括：如下的过程：将基板安装在设置于腔室内部的支撑板上部；上升所述支撑板并在所述支撑板与设置在所述支撑板上侧的基座之间形成与所述腔室内部空间区分的处理空间；以及处理所述基板；可抑制在处理基板时产生的异物粘附于腔室内壁。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 以及 利用 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：腔室；支撑板，在所述腔室内支撑基板并且能够以上下方向移动；热源单元，设置在所述支撑板的上侧，以用于加热所述基板；基座，设置在所述支撑板与所述热源单元之间，形成有向上侧弯曲的槽部，以在与所述支撑板之间形成处理空间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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