[发明专利]一种场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201910207646.X | 申请日： | 2019-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN109873038B | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 于洪宇;曾凡明 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/812 | 分类号： | H01L29/812;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 潘登 |
| 地址： | 518000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种场效应晶体管及其制备方法。所述场效应晶体管包括：氧化镓衬底；位于所述氧化镓衬底上的p型材料层和钝化层；位于所述p型材料层两侧的漏极电极和源极电极；位于所述p型材料层上的栅极电极。因氧化镓衬底与p型材料层材料功函数的差别，p型材料层可将其底部的电子耗尽，以形成常关型器件从而解决了现有的氧化镓材料由于很难实现p型掺杂而用于制作半导体器件时伴随的高技术难度和高成本的问题，且氧化镓材料具有优异的半导体特性，制作的半导体器件可适用于多种特殊的领域，如高压电力电子等，扩展了半导体器件的使用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管，其特征在于，所述场效应晶体管包括：氧化镓衬底；位于所述氧化镓衬底上的p型材料层和钝化层；位于所述p型材料层两侧的漏极电极和源极电极；位于所述p型材料层上的栅极电极。
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