[发明专利]立体存储器元件及其制作方法有效
| 申请号： | 201910207378.1 | 申请日： | 2019-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN111725215B | 公开（公告）日： | 2023-05-19 |
| 发明（设计）人： | 吕函庭 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/35 | 分类号： | H10B41/35;H10B41/27;H10B43/35;H10B43/27;H01L21/768;H01L23/538 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种立体存储器元件，包含一衬底、多个导电层、多个绝缘层、一存储器层叠结构、一绝缘部、一第二孔洞以及一介电填充柱。这些导电层以及绝缘层彼此交错堆叠位于衬底上以形成一多层堆叠结构。多层堆叠结构具有多个第一孔洞沿第一方向排列，每一第一孔洞穿过这些导电层及绝缘层。存储器层叠结构具有一第一串列部、一第二串列部以及一底串列部，底串列部连接在第一串列部以及第二串列部之间。绝缘部位于存储器层叠结构的第一串列部、第二串列部以及底串列部之间。介电填充柱位于绝缘部上，且具有多个侧凸出件分别接触这些导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 立体 存储器 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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