[发明专利]MRAM器件的平坦化方法在审
| 申请号： | 201910184965.3 | 申请日： | 2019-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN111697132A | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 刘鲁萍;王雷 | 申请（专利权）人： | 中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/08;H01L43/02 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 赵永刚 |
| 地址： | 311121 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MRAM器件的平坦化方法，所述MRAM器件包括基底，所述基底上设有存储单元结构，所述存储单元结构至少包括底电极以及位于所述底电极上的磁性隧道结，所述磁性隧道结的上表面具有一层金属薄膜保护层，所述方法包括：在所述基底上依次沉积抛光阻挡层和介电层；对所述介电层进行化学机械抛光，直至露出金属薄膜保护层上方的所有抛光阻挡层；对所述抛光阻挡层进行刻蚀，除去所述金属薄膜保护层上表面的全部抛光阻挡层以及所述金属薄膜保护层两侧的部分抛光阻挡层。本发明的平坦化方法，能够提高CMP制程中对抛光终点的控制能力，提高MRAM器件中MTJ单元与顶电极的电互联。 | ||
| 搜索关键词： | mram 器件 平坦 方法 | ||
【主权项】：
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