[发明专利]阵列基板及其制作方法、和显示装置有效
| 申请号: | 201910180171.X | 申请日: | 2019-03-11 |
| 公开(公告)号: | CN109920801B | 公开(公告)日: | 2022-02-01 |
| 发明(设计)人: | 周国庆;王超;赵生伟;吕景萍;谢霖;常志强 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;黄灿 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | 本发明提供一种阵列基板及其制作方法、和显示装置,其中,所述方法包括:在衬底基板上形成金属层;在金属层上涂覆光刻胶,利用掩膜板对光刻胶进行曝光,使得作用于第一光刻胶部分的光量小于作用于第二光刻胶部分的光量,形成位于走线区域的第一光刻胶保留部分和位于显示区域的第二光刻胶保留部分;刻蚀掉所述金属层中对应光刻胶去除部分的金属部分后,剥离所述第一光刻胶保留部分和所述第二光刻胶保留部分,得到位于走线区域的第一金属图案和位于显示区域的第二金属图案,所述第一金属图案的周期尺寸小于所述第二金属图案的周期尺寸。本发明提供的阵列基板及其制作方法、和显示装置,能够便于显示装置的窄边框化的发展。 | ||
| 搜索关键词: | 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,所述方法包括:在衬底基板上形成金属层;在所述金属层上涂覆光刻胶,利用掩膜板对所述光刻胶进行曝光,使得作用于第一光刻胶部分的光量小于作用于第二光刻胶部分的光量,形成位于走线区域的第一光刻胶保留部分和位于显示区域的第二光刻胶保留部分,所述第一光刻胶保留部分的宽度小于所述第二光刻胶保留部分的宽度,所述第一光刻胶部分位于所述走线区域,所述第二光刻胶部分位于所述显示区域;刻蚀掉所述金属层中对应光刻胶去除部分的金属部分后,剥离所述第一光刻胶保留部分和所述第二光刻胶保留部分,得到位于走线区域的第一金属图案和位于显示区域的第二金属图案,所述第一金属图案的周期尺寸小于所述第二金属图案的周期尺寸,其中,所述光刻胶去除部分为所述光刻胶中除所述第一光刻胶保留部分和所述第二光刻胶保留部分之外的光刻胶部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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