[发明专利]一种带有反射隔离层的SOI基底OLED微显示器件在审
申请号: | 201910178410.8 | 申请日: | 2019-03-11 |
公开(公告)号: | CN109755288A | 公开(公告)日: | 2019-05-14 |
发明(设计)人: | 唐莹;杨媚;刘祖刚;韦一;赵红;王玉龙;柏沁园 | 申请(专利权)人: | 中国计量大学 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/00;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 310018 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提出了一种显示质量较高,产品体积小以及应用场景广泛的带有反射隔离层的SOI基底OLED微显示器件,包括玻璃盖片,彩色光阻,封装薄膜层,透明阴极,OLED发光层,像素阳极,反射隔离层、SOI基底、二氧化硅氧化层。反射隔离层采用Cu金属使用电镀的方法生长在像素阳极的间隙处,反射隔离层被一层二氧化硅氧化层包裹。 | ||
搜索关键词: | 反射隔离层 基底 二氧化硅氧化层 微显示器件 阳极 像素 封装薄膜层 玻璃盖片 彩色光阻 透明阴极 应用场景 间隙处 体积小 电镀 金属 生长 | ||
【主权项】:
1.一种带有反射隔离层的SOI基底OLED微显示器件,其特征在于具有SOI基底和反射隔离层,反射隔离层采用Cu金属使用电镀的方法生长在像素阳极的间隙处,反射隔离层被一层二氧化硅氧化层包裹。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的