[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201910175488.4 | 申请日： | 2019-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN111668302B | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 陈志谚;洪章响 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 孙乳笋;王涛 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。此半导体装置包括设置在基板之上的通道层、设置在通道层之上的阻障层、及设置在阻障层之上的氮化物层。此半导体装置亦包括具有上部及下部的化合物半导体层，其中下部穿过氮化物层及一部分的阻障层。此半导体装置亦包括顺应性地设置在一部分的阻障层上并延伸至氮化物层上的间隔层。此外，上述半导体装置更包括设置在化合物半导体层之上的栅极电极、以及设置在栅极电极两侧的一对源极/漏极电极。上述源极/漏极电极延伸穿过间隔层、氮化物层及至少一部分阻障层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于世界先进积体电路股份有限公司，未经世界先进积体电路股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910175488.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：输出缓冲器
- 下一篇：基于CMC-NA液体体系制浆造纸清洁生产的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
