[发明专利]一种MIS-HEMT器件的热电子效应测试结构及其表征方法有效
| 申请号： | 201910172827.3 | 申请日： | 2019-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN111668189B | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 郑雪峰;马晓华;李纲;王小虎;陈管君;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;G01R31/26 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 张捷 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种MIS‑HEMT器件的热电子效应测试结构，包括：底层(15)、势垒层(4)、绝缘层(5)、源极(7)、栅极(8)、漏极(9)、第一掺杂区(11)、第二掺杂区(12)、电极A(13)和电极B(14)。本实施例提供了一种热电子注入数量与能量可控技术的热电子效应测试结构及其表征方法，通过调整偏置电压来控制势垒层中热电子的注入数量，并通过调整偏置电压来控制势垒层中热电子的注入能量，解决了器件热电子注入数量和注入能量的不可控，以及非均匀注入势垒层等问题，有助于对MIS‑HEMT器件的热电子效应进行深入分析。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mis hemt 器件 电子效应 测试 结构 及其 表征 方法 | ||
【主权项】：
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