[发明专利]一种集总参数IPD宽带耦合器有效
| 申请号： | 201910164040.2 | 申请日： | 2019-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN109921165B | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 管翰林;程勇;夏卫鹏 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01P5/12 | 分类号： | H01P5/12 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 李琼 |
| 地址： | 210023 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种集总参数IPD宽带耦合器，包括两层基板和一层集成LC宽带耦合器；所述的两层基板是第一层砷化镓介质基板和第二层SiNx介质基板；本发明利用集总参数等效电路的等效λ/4传输线，运用等效矩阵理论求得等效电路中的电感与电容值，充分利用工艺优势有效地减小尺寸；增加分支线数以达到增加带宽的目的；对于中心频率为4.7GHz的实物，其参数优于‑24dB；其参数优于‑40dB，耦合度差为正负0.5dB，尺寸为1mm*1.6mm,本发明具有集成度高、高性价比、小尺寸、低插入损耗、选频性能好、温度稳定性好等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 参数 ipd 宽带 耦合器 | ||
【主权项】：
1.一种集总参数IPD宽带耦合器，其特征在于，包括接地金属层、衬底、介质层和LC宽带耦合器；所述接地金属层位于衬底下表面且通过衬底中的金属通孔与LC宽带耦合器连接；所述介质层位于衬底上表面；所述LC宽带耦合器分布在三个金属层(M1、M2、M3)中，其中第一金属层(M1)设置在所述介质层的上表面上方，第二和第三金属层(M2、M3)集成在所述介质层中，第三金属层(M3)紧贴着衬底的上表面，第二金属层(M2)位于第三金属层(M3)的上表面上方且紧贴所述介质层的上表面；所述LC宽带耦合器包括8个平面螺旋电感、10个平行板电容和4个GSG端口。
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