[发明专利]字线梯升器及使用该字线梯升器减缓读取扰动的方法有效
| 申请号： | 201910159885.2 | 申请日： | 2019-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN110033807B | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 廖伟男 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08;G11C16/30 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种字线梯升器及使用该字线梯升器减缓读取扰动的方法，包括：反相器、PMOS管和NMOS管；反相器的输入端接输入信号，其输出端、PMOS管源极及NMOS管的栅极接字线；PMOS管漏极和NMOS管的漏极连接；非门，PMOS管栅极接该非门的输出端；位线追踪单元连接非门的其中一个输入端。当没有外部使能信号输入时，改变位线追踪单元的单元数，得以延长梯升器的工作时间，从而减小读取扰动及半选干扰；当有外部使能信号输入时，通过比较位线追踪单元的输入信号与外部使能信号的充放电时长，来调整位线追踪单元的单元数，从而减小梯升器的读取扰动以及半选干扰，降低电路低压操作下的不稳定型，避免低良率的发生。 | ||
| 搜索关键词： | 字线梯升器 使用 减缓 读取 扰动 方法 | ||
【主权项】：
1.一种字线梯升器，其特征在于，至少包括：反相器、PMOS管和NMOS管；所述反相器的输入端接输入信号，其输出端、所述PMOS管的源极以及所述NMOS管的栅极连接字线；所述PMOS管的漏极和所述NMOS管的漏极相连接，所述NMOS管的源极接地；具有两个输入端的非门，所述PMOS管的栅极连接该非门的输出端；位线追踪单元，该位线追踪单元连接所述非门的其中一个输入端。
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