[发明专利]一种铁/压电场效应管及其的制备方法在审
| 申请号： | 201910159715.4 | 申请日： | 2019-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN110034181A | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 陕皓 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/43;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种铁/压电场效应管及其的制备方法，包括基底、源漏极及栅极；栅极包括：由下而上依次层叠的二氧化硅、高介电层、压电材料层、氮化钛层、铁电材料层和氮化钽层。制备方法为：提供硅基板，在硅基板中掺杂P型离子，形成基底；在基底的两侧形成源极和漏极；在基底上方、源极和漏极之间依次形成二氧化硅层和高介电层；在高介电层上依次形成压电材料层、氮化钛层、铁电材料层和氮化钽层。本发明基于场效应晶体管，在栅极中引入铁电材料和压电材料，利用铁电材料的负电容效应和压电材料的电致伸缩效应来共同实现电压放大的功能。降低器件的工作电压，降低亚阈值摆幅，提高器件的开/关速度，进一步降低工作功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 基底 高介电层 制备 铁电材料层 压电材料层 氮化钛层 氮化钽层 铁电材料 压电材料 硅基板 效应管 压电场 漏极 源极 场效应晶体管 电致伸缩效应 二氧化硅层 亚阈值摆幅 电容效应 电压放大 二氧化硅 工作电压 工作功耗 降低器件 依次层叠 掺杂P型 源漏极 离子 引入 | ||
【主权项】：
1.一种铁/压电场效应管，其特征在于，至少包括：基底；位于所述基底两侧的源极和漏极；位于所述基底上方、所述源极和漏极之间的栅极；所述栅极包括：由下而上依次层叠的二氧化硅层、高介电层、压电材料层、氮化钛层、铁电材料层和氮化钽层。
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