[发明专利]阵列基板的制作方法及阵列基板在审
| 申请号： | 201910154264.5 | 申请日： | 2019-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN109887885A | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 艾飞;宋德伟 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本揭示提供了阵列基板的制作方法及阵列基板。所述阵列基板的制作方法包括提供基板，在所述基板上形成第一金属层，所述第一金属层包括多条第一金属线和多条断续的第二金属线，所述断续的第二金属线的延伸方向垂直于所述第一金属线的延伸方向，在所述基板和所述第一金属层上形成层间介电绝缘层，图案化所述层间介电绝缘层以形成多个过孔，所述过孔对应所述断续的第二金属线的二端，以及在所述层间介电绝缘层和所述第一金属层上形成断续的数据线，所述断续的数据线通过所述过孔与所述断续的第二金属线的所述二端接触。本揭示能够提升所述阵列基板的光学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 金属线 断续 阵列基板 第一金属层 基板 绝缘层 层间介电 数据线 制作 介电绝缘层 方向垂直 光学性能 图案化 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括:提供基板；在所述基板上形成第一金属层，所述第一金属层包括多条第一金属线和多条断续的第二金属线，所述断续的第二金属线的延伸方向垂直于所述第一金属线的延伸方向；在所述基板和所述第一金属层上形成层间介电绝缘层；图案化所述层间介电绝缘层以形成多个过孔，所述过孔对应所述断续的第二金属线的二端；以及在所述层间介电绝缘层和所述第一金属层上形成断续的数据线，所述断续的数据线通过所述过孔与所述断续的第二金属线的所述二端接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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