[发明专利]一种缺陷态石墨烯包覆高镍正极材料的制备方法在审
| 申请号： | 201910152947.7 | 申请日： | 2019-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN109920988A | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | 杨志远;蔡浩;王聪;张天赐 | 申请（专利权）人： | 湖北锂诺新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/583;H01M4/62;H01M4/525;H01M4/505;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 武汉开元知识产权代理有限公司 42104 | 代理人： | 马辉 |
| 地址： | 442000 湖北省十堰市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种缺陷态石墨烯包覆高镍正极材料的制备方法，属于电池制备技术领域。本发明以硫酸镍作为镍源、硫酸钴作为钴源和硫酸锰作为锰源，通过共沉淀法得到[Ni0.893Co0.054Mn0.053](OH)2前驱体；然后将前驱体与氢氧化锂、氢氧化铝混合高温煅烧得到高镍材料Li[Ni0.886Co0.049Mn0.050Al0.015]O2；最后将高镍材料与缺陷态石墨烯混合，即得到缺陷态石墨烯包覆的高镍正极材料。本技术方案可以改善高镍正极材料电导率低的缺点，可以有效的抑制高镍正极材料与电解液接触而发生的副反应。 | ||
| 搜索关键词： | 高镍正极材料 缺陷态 石墨烯 高镍材料 前驱体 包覆 制备 电导率 电解液接触 电池制备 共沉淀法 混合高温 氢氧化铝 氢氧化锂 包覆的 副反应 硫酸锰 硫酸镍 硫酸钴 锰源 镍源 煅烧 钴源 | ||
【主权项】：
1.一种缺陷态石墨烯包覆高镍正极材料的制备方法，包括如下步骤：(1)将NiSO4·6H2O和CoSO4·7H2O与NaOH、NH3·H2O溶液反应，得到[Ni0.98Co0.02](OH)2，将NiSO4·6H2O、CoSO4·7H2O和MnSO4·H2O在碱性条件下进行反应，混合形成[Ni0.80Co0.09Mn0.11](OH)2，将Ni0.80Co0.09Mn0.11(OH)2与[Ni0.98Co0.02](OH)2混合进行反应，得到前驱体前体[Ni0.893Co0.054Mn0.053](OH)2，将前驱体前体与LiOH·H2O和Al(OH)3·3H2O混合，煅烧；最终得到高镍材料Li[Ni0.886Co0.049Mn0.050Al0.015]O2；(2)将缺陷态的氧化石墨烯分散在去离子水中，再将肼溶液加入到缺陷态的氧化石墨烯溶液中，加热，搅拌，过滤，干燥，即得到缺陷态的石墨烯；(3)将高镍材料加入到缺陷态石墨烯的叔丁醇溶液中，超声波处理、过滤、干燥，即得到缺陷态石墨烯包覆的高镍正极材料。
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