[发明专利]一种柔性V2

摘要

本发明涉及一种柔性V2O5/Ge2Sb2Te5纳米多层相变薄膜材料及其制备方法，本发明材料是多层复合膜结构，由V2O5层和Ge2Sb2Te5层交替沉积在柔性基层材料上，将Ge2Sb2Te5层和V2O5层作为一个交替周期，后一个交替周期的Ge2Sb2Te5层沉积在前一个交替周期的V2O5层上方。由于材料沉积在柔性基层材料上表现出较好的塑性形变特性，在柔性存储应用中有巨大潜力；在拉伸量为5.62％材料发生弯折的情况下仍具有明显的非晶态‑晶态可逆相变过程及较快的相变速度、较好的热稳定性、较高的数据保持能力，适用于高温环境下的数据存储；该材料的相变性能可通过加入的V2O5层厚度以及周期数进行有效调控。

主权项

1.一种柔性V₂O₅/Ge₂Sb₂Te₅纳米多层相变薄膜材料，其特征在于，所述柔性V₂O₅/Ge₂Sb₂Te₅纳米多层相变薄膜材料是多层复合膜结构，由V₂O₅层和Ge₂Sb₂Te₅层在柔性基层材料上交替沉积复合而成，将Ge₂Sb₂Te₅层和V₂O₅层作为一个交替周期，后一个交替周期的Ge₂Sb₂Te₅层沉积在前一个交替周期的V₂O₅层上方；所述柔性V₂O₅/Ge₂Sb₂Te₅纳米多层相变薄膜材料的膜结构的表达通式为：[V₂O₅(x)/Ge₂Sb₂Te₅(y)]n，其中x为单层V₂O₅层的厚度，1nm≤x≤10nm；y为单层Ge₂Sb₂Te₅层的厚度，1nm≤y≤10nm；n为V₂O₅层和Ge₂Sb₂Te₅层的交替周期数，1≤n≤20；所述x、y、n满足30nm≤(x+y)×n≤70nm，代表所述纳米多层相变薄膜材料总膜厚。