[发明专利]图像传感器及其形成方法有效
| 申请号： | 201910143681.X | 申请日： | 2019-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN109904183B | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 王阳阳;夏春秋;汤茂亮;刘少东 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 薛异荣;吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种图像传感器及其形成方法，图像传感器包括：半导体衬底；位于半导体衬底中的溢出栅极结构，所述溢出栅极结构具有相对的第一侧和第二侧；位于所述溢出栅极结构的第一侧半导体衬底中的溢出漏区，所述溢出漏区适于电学连接电源线；二极管掺杂层，所述二极管掺杂层位于溢出栅极结构的第二侧半导体衬底中；位于所述溢出栅极结构底部半导体衬底中的附加浮空扩散区，所述附加浮空扩散区与二极管掺杂层相互分立且和溢出漏区相互分立。所述图像传感器的性能得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：半导体衬底；位于半导体衬底中的溢出栅极结构，所述溢出栅极结构具有相对的第一侧和第二侧；位于所述溢出栅极结构的第一侧半导体衬底中的溢出漏区，所述溢出漏区适于电学连接电源线；二极管掺杂层，所述二极管掺杂层位于溢出栅极结构的第二侧半导体衬底中；位于所述溢出栅极结构底部半导体衬底中的附加浮空扩散区，所述附加浮空扩散区与二极管掺杂层相互分立且和溢出漏区相互分立。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
