[发明专利]一种基于偏振干涉的铌酸锂晶体压力传感器及其应用有效
| 申请号： | 201910143221.7 | 申请日： | 2019-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN109883586B | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 尹锐;周晓腾;季伟;杨旭;黄庆捷 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | G01L1/24 | 分类号： | G01L1/24 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 陈桂玲 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于偏振干涉的铌酸锂晶体压力传感器，属于压力检测技术领域。该压力传感器包括单波长光源、依次连接的起偏器、LN晶体、检偏器和光功率计，压力检测时，压力接触检测区域为LN晶体。本发明的基于偏振干涉的铌酸锂晶体压力传感器制备简单，利用光弹效应来测量压力的大小，因而不会改变施力物体本身的性质，检测结果更精准；压力检测过程完全基于晶体的双折射特性和干涉效应，无电流产生，因此零功耗，节能环保。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 偏振 干涉 铌酸锂 晶体 压力传感器 及其 应用 | ||
【主权项】：
1.一种基于偏振干涉的铌酸锂晶体压力传感器，其特征在于，包括单波长光源、依次连接的起偏器、LN晶体、检偏器和光功率计，压力检测时，压力接触检测区域为LN晶体。
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