[发明专利]半导体器件、发光器件和用于制造发光器件的方法

摘要

本申请涉及半导体器件、发光器件和用于制造发光器件的方法。提供了一种层间绝缘膜的开裂或剥离得到抑制的发光二极管。第一层间绝缘膜在DBR层、第一p电极和第一n电极上连续形成为膜。第一层间绝缘膜是通过交替地沉积SiO₂层和TiO₂层而形成的多层，并且层的数目为11。SiO₂层由具有产生压缩应力的性质的材料形成。当根据第一实施方案的发光二极管暴露于高温时，第一层间绝缘膜中的TiO₂层将其性质从产生压缩应力改变为产生拉伸应力。由TiO₂层产生的拉伸应力和由SiO₂层产生的压缩应力相互抵消。结果，第一层间绝缘膜的内应力得到缓和。

主权项

1.一种半导体器件，包括：蓝宝石衬底；形成在所述蓝宝石衬底上的III族氮化物半导体层；形成在所述III族氮化物半导体层之上或上方的第一电极；形成在所述第一电极上的层间绝缘膜；以及形成在所述层间绝缘膜上的第二电极，所述第二电极通过形成在所述层间绝缘膜中的孔连接所述第一电极，其中所述层间绝缘膜是通过交替地沉积由产生拉伸应力的材料制成的第一绝缘膜和由产生压缩应力的材料制成的第二绝缘膜而形成为三层或更多层的多层膜。