[发明专利]槽栅结构的AlGaN/GaN增强型MOSFET器件及制备方法在审
| 申请号： | 201910141042.X | 申请日： | 2019-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN109860048A | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 陈敦军;任碧雷;张荣;郑有炓 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/778;H01L21/28 |
| 代理公司： | 江苏斐多律师事务所 32332 | 代理人： | 张佳妮 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于I‑V表征凹槽深度及凹槽表面损伤的槽栅结构的AlGaN/GaN增强型MOSFET器件的制备方法，刻蚀栅凹槽时测量源漏极之间的I‑V特性，当I‑V特性显示源漏极之间呈现高阻态时，停止刻蚀。并公开了制得的器件，以及源漏极之间的I‑V测试在表征槽栅结构的AlGaN/GaN增强型MOSFET器件的栅凹槽深度以及表面损伤中的应用。本发明利用源漏极之间的I‑V测试，结合低功率循环刻蚀的方法，能准确定位凹槽刻蚀深度，减少刻蚀损伤。同时I‑V测试能表征表面处理工艺是否可以降低栅凹槽表面损伤。本发明采用源漏极之间的I‑V测试来表征凹槽深度和表面处理工艺的优劣，成本低，难度小，节约时间和成本，加快实验进程。 | ||
| 搜索关键词： | 源漏极 槽栅结构 增强型 刻蚀 测试 表面损伤 栅凹槽 制备 表面处理工艺 凹槽表面 表征表面 处理工艺 刻蚀损伤 实验进程 特性显示 准确定位 测量源 低功率 高阻态 刻蚀栅 漏极 损伤 节约 应用 | ||
【主权项】：
1.一种基于I‑V表征凹槽深度和表面损伤的槽栅结构的AlGaN/GaN增强型MOSFET器件的制备方法，其特征在于：刻蚀栅凹槽时测量源极和漏极之间的I‑V特性，当I‑V特性显示源极和漏极之间呈现高阻态时，停止刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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